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罗姆第二代超级结MOS-PrestoMOS要把平面MOS虐到哭

2017-7-11 下午 10:46:54      点击:

在超级结MOSFET出现之前,高压器件的主要设计平台是基于平面技术。现如今,基于超级结技术的功率MOSFET已成为高压开关转换器领域的业界规范。它们提供更低的RDS(on),同时具有更少的栅极和和输出电荷,这有助于在高频率下保持更高的效率。2017年7月4日的罗姆发布会上,罗姆半导体(上海)有限公司设计中心高级经理水原德健先生跟我们分享了从2014年开始到2020年MOS管市场的变化情况。

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图:罗姆半导体(上海)有限公司设计中心高级经理水原德健先生

水原德健先生提到,总的来说,MOS整体的需求量没有太大增长。但是中间有一个很大的变化,平面MOS市场越来越小,超级结MOSFET市场越来越大。2014年的时候还是以平面MOS为主,但是在2016年的时候基本一半一半了,到2020年可以看到超级结MOS已成为主流。为什么会这样?这主要是大家在选择产品的时候一般考虑两个因素:性能和价格。性能方面可以说各有千秋,但是超级结MOS更节能。价格的话,在第零代的时候,超级结MOS价格大约是平面MOS的1.7倍到2倍,到了第一代,大约是1.5倍。第二代,基本上已与平面MOS的价格开始持平。超级结MOS的导通损耗小,比平面MOS更节能一些,而且价格与平面MOS相比相持平,这就是整个市场上会得到很大应用的原因。

紧跟市场发展的罗姆集团拥有很多高耐压超级结MOSFET产品。水原德健先生跟21ic记者介绍了几款典型产品。首先是罗姆低噪音的超级结MOS,即EN系列。EN系列特殊的构造可以达到跟平面MOS一样的低噪音性,并同时减低了80%的Ron(导通电阻),实现更节能。第二个高速开关的MOSFET,高速开关的产品主要是为了开关的时候损耗降得更低一些,可以使整机的效率变得更高。罗姆的第二代高速开关超级结MOS-KN系列主要改变了开关特性, Rg(门极上的电阻)和Qgd(栅极输入电荷量),输入电荷更少可以使开关速度更快。KN系列产品即改变了门极上的电荷和电阻,使开关速度变得更快。

第三个就是本次发布会上,罗姆跟21ic记者介绍的重点新品——业界最快trr性能的600V超级结MOSFET-PrestoMOS R60xxMNx系列。在这里我们先来理清这个包含关系:PrestoMOS属于超级结MOSFET,超级结MOSFET属于功率MOSFET,功率MOSFET属于功率晶体管。PrestoMOS就是高速的trr(反向恢复时间)超级结的MOSFET。今天我们的重点就是第二代PrestoMOS。

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图:PrestoMOS、超级结MOSFET、功率MOSFET的关系

先简单介绍下罗姆的第一代PrestoMOS。从构造上看,MOS里有两个构造,一个是真正的MOS构造,一个是体二极管。我们说产品的好与坏,第一个就看本体MOS特性的好与坏,这主要取决于导通电阻和Qg,这两个参数都是越小越好。第二个特性是体二极管的trr特性。罗姆第一代的PrestoMOS主要是改变了体二极管的trr特性。MOSFET是一个半导体,从ON到OFF的时候会出现一个反向特性,有一个反向的恢复时间和反向的恢复电流。反向的恢复时间乘以反向的恢复电流,这就是开关造成的开关损耗,开关的损耗越小,整体就越节能。罗姆在第一代产品最主要改变了trr的特性,逆变器效率更高。

罗姆的第一代产品降低了trr,第二代产品在继续提高trr性能的基础上,同时降低了导通电阻并提高开关速度。罗姆的第二代PrestoMOS采用了新的纵向沟槽构造:一是把PN结构之间的间距变得更小;二是把N极的电流浓度变得更大。通过改变这新的构造,使产品的导通电阻更低,开关速度更快。从对比中可以看到,开关速度Qg和原有的第一代产品相比,第二代产品降低了70%,导通电阻降低了40%。在这两个特性之上,体二极管的trr特性降低了20%。可以说,第二代PrestoMOS是个开关损耗、导通损耗和trr损耗都是很小的产品。

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图:第一代PrestoMOS和第二代性能对比情况

和竞争对手比较,第二代PrestoMOS一是具有超强短路耐受能力,二是竞争对手在ON的情况下出现了自导的状况,而罗姆自导的状况很小。而自导通越小功率损耗越小。

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图:竞争对手与罗姆第二代PrestoMOS自导通情况对比

最后,水原德健先生谈到了关于罗姆产品生产的问题。他介绍到,罗姆的前工程都是在日本国内,后工程主要是在国外,目前在日本、泰国和菲律宾都有工厂。罗姆同样的产品为什么在两个或两个以上的地方同时进行生产?“同样的产品要分几个地方去做,看起来很浪费资源。但是如果某个地区发生意外就不能正常供货了,比如2011年泰国发生了洪水,如果当时只有泰国一地工厂生产产品,会给给客户的生产带来很大的麻烦。第一,产品生产不出来;第二,生产出来的产品运不出去,因为你没有替代产品,最终给客户带来很大的麻烦。在这之后,罗姆为了把风险降到最低,不论任何产品都在两个或两个以上的地方来进行同时生产。也就是说,无论任何一个地方出现了什么样不可抗拒的事情发生,罗姆都会在同一时间内有相同的产品从另外一个工厂生产出来,这样不会给客户带来生产上的麻烦。”水原德健先生说到。

超级结结构是高压MOSFET技术的重大发展并具有显著优点,其RDS(on)、栅极容值和输出电荷以及管芯尺寸同时得到降低。从罗姆此次新品发布会我们就能看到超级结MOS的市场前景。未来,超级结MOS会不会把平面MOS虐到哭,还需要时间见分晓。